Populární 4″ Germanium Substrát pro LED světelný zdroj

Od roku 2003 jsme investovali značné úsilí do rozšíření aplikačních oblastí současné elektroniky CMOS komplementárních kov-oxid-polovodičů na bázi křemíku na integrovanou fotoniku.

Zejména monolitická integrace materiálů skupiny IV a jejich zařízení je způsobena především jejich kompatibilitou s procesy CMOS. Ačkoli klíčová fotonická zařízení, jako jsou modulátory, vlnovody a detektory, byly úspěšně integrovány do elektronických čipů na bázi křemíku, nepřímá povaha křemíku omezuje monolitickou integraci vysoce účinných světelných zdrojů na jeho čipech.

naproti tomu germanium Ge, jako multi-valley nepřímý polovodičový materiál s přímým i nepřímým mezipásmovým zářením, má strukturu energetického pásma vhodnější pro přímou inverzi bandgap. 

Bylo použito k demonstraci vysoce výkonných fotodetektorů, modulátorů, vlnovodů a dalších optických komponentů Zájem o germanium jako laserový zdroj skupiny I nedávno prokázal významný nárůst po použití optické a elektrické injekce k demonstraci optického zisku a generace laseru. .

Dostupné monokrystalické germaniové substráty se používají při výrobě LED světelných zdrojů se specifickými parametry podrobně uvedenými níže.

PoložkaCN24 – Germanium Substrát
Průměr100 mm (4″)
Tloušťka500 μm nebo podle potřeby
Orientace krystalů<100>
DopingNedopované vnitřně
Odpor10-50 ohm-cm
StupeňVýborná známka
Povrchová úpravaOboustranně leštěné, jednostranně leštěné

Související blog

Vítejte na našem blogu věnovaném atraktivnímu světu Germania a dalších fotoelektrických materiálů. 

Získejte naši nabídku

Sdělte nám prosím svůj požadavek, do hodiny se vám ozveme zpět.