Populair 4″ Germanium Substraat voor LED Lichtbron

Sinds 2003 hebben we veel moeite gestoken in het uitbreiden van de toepassingsgebieden van de huidige op silicium gebaseerde complementaire metaaloxide-halfgeleider-CMOS-elektronica naar geïntegreerde fotonica.

In het bijzonder is de monolithische integratie van Groep IV-materialen en hun apparaten voornamelijk te danken aan hun compatibiliteit met CMOS-processen. Hoewel belangrijke fotonische apparaten zoals modulatoren, golfgeleiders en detectoren succesvol zijn geïntegreerd op elektronische chips op basis van silicium, beperkt de indirecte bandgap-aard van silicium de monolithische integratie van hoogefficiënte lichtbronnen op zijn chips.

Daarentegen, germanium Ge, als een multi-valley indirecte bandgap halfgeleidermateriaal met zowel directe als indirecte interband stralingscomplexen, bezit een energiebandstructuur die geschikter is voor directe bandgap inversie. 

Het is gebruikt om hoogwaardige fotodetectoren, modulatoren, golfgeleiders en andere optische componenten te demonstreren. De interesse in germanium als groep I-laserbron is de laatste tijd aanzienlijk toegenomen, nadat optische en elektrische injectie werd gebruikt om optische versterking en lasergeneratie te demonstreren.

Bij de productie van LED-lichtbronnen worden beschikbare monokristallijne germaniumsubstraten gebruikt, met specifieke parameters die hieronder worden beschreven.

ItemCN24 – Germaniumsubstraat
Diameter100 mm (4")
Dikte500μm, of indien nodig
Kristaloriëntatie<100>
DopingOngedoopt intrinsiek
Weerstand10-50 ohm-cm
CijferUitstekende beoordeling
OppervlakteafwerkingDubbelzijdig gepolijst, enkelzijdig gepolijst

Gerelateerde blog

Welkom op onze blog die gewijd is aan de aantrekkelijke wereld van germanium en andere foto-elektrische materialen. 

Vraag onze offerte aan

Laat ons weten wat uw verzoek is, dan nemen wij binnen een uur contact met u op.