LED Işık Kaynağı için Popüler 4″ Germanium Alt Tabaka

2003 yılından bu yana, mevcut silikon tabanlı tamamlayıcı metal oksit yarı iletken CMOS elektroniğinin uygulama alanlarını entegre fotonik alanına genişletmek için önemli çaba sarf ettik.

Özellikle, Grup IV malzemelerinin ve cihazlarının monolitik entegrasyonu, esas olarak CMOS süreçleriyle uyumluluklarından kaynaklanmaktadır. Modülatörler, dalga kılavuzları ve dedektörler gibi temel fotonik cihazlar silikon tabanlı elektronik çiplere başarıyla entegre edilmiş olsa da, silikonun dolaylı bant aralığı doğası, çiplerinde yüksek verimli ışık kaynaklarının monolitik entegrasyonunu sınırlar.

Tersine, germanyum GeHem doğrudan hem de dolaylı bant arası radyasyon komplekslerine sahip çok vadili dolaylı bant aralığına sahip yarı iletken malzeme olarak, doğrudan bant aralığı ters çevirme için daha uygun bir enerji bant yapısına sahiptir. 

Yüksek performanslı fotodedektörler, modülatörler, dalga kılavuzları ve diğer optik bileşenlerin gösterilmesinde kullanılmıştır. Son zamanlarda, optik kazanç ve lazer üretimi göstermek için optik ve elektriksel enjeksiyonun kullanılmasının ardından, Grup I lazer kaynağı olarak germanyuma olan ilgi önemli ölçüde artmıştır.

Mevcut monokristalin germanyum substratlar, LED ışık kaynaklarının üretiminde kullanılır ve özel parametreleri aşağıda belirtilmiştir.

ÖğeCN24 – Germanyum Alt Tabakası
Çap100mm(4″)
Kalınlık500μm veya gerektiği gibi
Kristal yönelimi<100>
DopingKatkısız İçsel Olarak
Dirençlilik10-50 ohm-cm
SeviyeMükemmel not
Yüzey KaplamaÇift taraflı cilalı, tek taraflı cilalı

İlgili Blog

Germanyum ve diğer fotoelektrik malzemelerin çekici dünyasına adanmış blogumuza hoş geldiniz. 

Teklifimizi Alın

Lütfen talebinizi bize bildirin, bir saat içinde size geri dönüş yapacağız.