특히, 그룹 IV 재료와 그 장치의 모노리식 통합은 주로 CMOS 공정과의 호환성 때문입니다. 변조기, 도파관, 검출기와 같은 주요 광자 소자는 실리콘 기반 전자 칩에 성공적으로 통합되었지만, 실리콘의 간접 밴드갭 특성은 칩에 고효율 광원을 모노리식 통합하는 데 제한이 있습니다.
이와 대조적으로, 게르마늄 Ge, 직접 및 간접 밴드 간 복사 복합체를 모두 갖춘 멀티 밸리 간접 밴드갭 반도체 소재로서, 직접 밴드갭 반전에 더 적합한 에너지 밴드 구조를 가지고 있습니다.
게르마늄은 고성능 광 검출기, 변조기, 광파도관 및 기타 광학 구성 요소를 시연하는 데 사용되었습니다. 최근, 광학 및 전기 주입을 사용하여 광 이득과 레이저 생성을 시연하면서 그룹 I 레이저 소스로서 게르마늄에 대한 관심이 크게 증가했습니다.
LED 광원 제조에는 단결정 게르마늄 기판이 사용되며, 구체적인 매개변수는 다음과 같습니다.
| 목 | CN24 – 게르마늄 기판 |
| 지름 | 100mm(4인치) |
| 두께 | 500μm 또는 필요에 따라 |
| 결정 방향 | <100> |
| 도핑 | 본질적으로 무도핑 |
| 저항률 | 10-50옴-cm |
| 등급 | 우수한 등급 |
| 표면 마감 | 양면 연마, 단면 연마 |
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게르마늄은 주로 납과 아연 제련 부산물에서 유래되며 적외선 광학, 광섬유 통신, 태양 에너지 및 반도체에 널리 사용됩니다.
현재 국내 게르마늄 가격은 비교적 안정적입니다. 당사와 협력하는 제련소의 최신 데이터에 따르면 거래 가격은 평균적으로 kg당 2,500달러에 육박합니다.
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